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BCR 555 E6433产品简介:
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| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 300MW SOT23-3开关晶体管 - 偏压电阻器 PNP Silicon Digital TRANSISTOR |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,Infineon Technologies BCR 555 E6433- |
| 数据手册 | https://www.infineon.com/dgdl/bcr555.pdf?folderId=db3a30431428a3730114407566730303&fileId=db3a30431428a37301144081dc82030c |
| 产品型号 | BCR 555 E6433 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 300mV @ 2.5mA,50mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 70 @ 50mA,5V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | PG-SOT23-3 |
| 其它名称 | BCR555E6433BTMA1 |
| 典型电阻器比率 | 0.22 |
| 典型输入电阻器 | 2.2 kOhms |
| 功率-最大值 | 330mW |
| 功率耗散 | 330 mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 发射极-基极电压VEBO | 50 V |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 峰值直流集电极电流 | 500 mA |
| 工厂包装数量 | 10000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 500 mA |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 500mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 70 |
| 系列 | BCR555 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 集电极连续电流 | 500 mA |
| 零件号别名 | BCR555E6433HTMA1 SP000010857 |
| 频率-跃迁 | 150MHz |